SDY-5型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙位組合測量技術,利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，從而提高了測量結果的準確度
    使用本儀器(qi)進行測(ce)量(liang)時(shi)，由(you)于不需要進行幾(ji)何(he)邊界條件和探針間距的修正，因而對各(ge)種形狀(zhuang)(zhuang)的薄(bo)膜(mo)材料(liao)及(ji)片狀(zhuang)(zhuang)材料(liao)有廣泛的適(shi)用性。儀器(qi)特別適(shi)用于測(ce)量(liang)片狀(zhuang)(zhuang)半導體材料(liao)電阻率以及(ji)硅擴散層、離子注(zhu)入層、異(yi)型外延層等(deng)半導體器(qi)件和液晶片導電膜(mo)、電熱膜(mo)等(deng)薄(bo)層(膜(mo))的方塊電阻.
    儀器以大規模集成電路為核(he)心(xin)部件,特別采用(yong)了平面輕觸式開(kai)關設(she)計和各種工作(zuo)狀態LED指示.并應用(yong)了微計算機技(ji)術,利用(yong)HQ-710F型微計算機作(zuo)為測量控(kong)制及數(shu)據(ju)處理器,使得測量、計算、讀數(shu)更加直觀、快速，并能打印(yin)全部預置和測量數(shu)據(ju)。

技術指標：
1、測量范圍(wei)：電阻率：0.001－200Ω.cm(可擴展)
薄層電(dian)阻:0.01-2000Ω/口(可(ke)擴展)
可(ke)測晶片厚度：≤3.00mm
2、恒流電源(yuan):電流分為100mA、1mA、10mA、 100ma 四檔(dang) ；連續可調；穩定(ding)度優于0.3% 
3、數字(zi)電(dian)壓表：量程：0－199.99mV;分(fen)辨率(lv)：0.01mV精度：±0.1%
顯示：四位(wei)半紅色發光管數字(zi)顯示。極性、小數點、超量程(cheng)自動顯示；
4、模擬電路測試誤差：(用1、10、100、1000 ?精(jing)密(mi)電阻測量)≤±0.3%±;1字(zi);
5、整機準確度：(用0.01至180Ω.cm硅標樣片測(ce)試(shi))≤4%
6、微計(ji)算(suan)機功(gong)能：
A 鍵盤控制測量(liang)取數，自(zi)動控制電(dian)(dian)流換向和電(dian)(dian)流、電(dian)(dian)壓(ya)探針的變換，并進行正、反向電(dian)(dian)流下(xia)的測量(liang)，顯示出(chu)平均值
B 鍵盤控(kong)制數據(ju)處理，按內存公式(shi)計算出薄層電阻或(huo)電阻率平均值以及(ji)百分變化(hua)。
C 鍵盤(pan)控(kong)制打(da)印(yin)全部測量(liang)數(shu)據(ju)。包括測量(liang)條(tiao)件(jian)，各次測量(liang)平均值、zui大(da)值、zui小值，百分變(bian)化等數(shu)據(ju)。
7、外(wai)形尺寸(cun)：電氣主機：360mm×320mm×100mm； 微計(ji)算機：300mm×210mm×105mm
8、儀器重(zhong)量：電氣主機：約4kg；測試架(J-2A型):約5kg;微(wei)計算機:約2.5kg;
9、電源：AC 220V±10%,50Hz,功率(lv)<25W
10、測試(shi)環境：溫度(du)23±2℃；相(xiang)對濕度(du)≤65％；無高頻干擾(rao)；無強光照射(she)。 ;