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SDY-5型雙電(dian)測四探(tan)(tan)針(zhen)(zhen)測試儀采用了(le)四探(tan)(tan)針(zhen)(zhen)雙位組合(he)測量(liang)技術,利用電(dian)流(liu)探(tan)(tan)針(zhen)(zhen)、電(dian)壓(ya)探(tan)(tan)針(zhen)(zhen)的(de)變換(huan)，進行兩次電(dian)測量(liang)，能自動消除樣(yang)品(pin)幾何尺寸、邊界效應以及探(tan)(tan)針(zhen)(zhen)不等距和機械游移(yi)等因素對測量(liang)結果的(de)影響，從而提高了(le)測量(liang)結果的(de)準確(que)度

RTS-5型雙(shuang)電(dian)(dian)測(ce)(ce)四(si)(si)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)測(ce)(ce)試(shi)儀(yi)采用了四(si)(si)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)雙(shuang)電(dian)(dian)測(ce)(ce)組(zu)(zu)合(亦稱雙(shuang)位組(zu)(zu)合)測(ce)(ce)量(liang)新技(ji)術,將范德堡(bao)測(ce)(ce)量(liang)方法推廣應(ying)用到(dao)直線四(si)(si)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)上(shang),利(li)用電(dian)(dian)流探(tan)(tan)(tan)針(zhen)、電(dian)(dian)壓(ya)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)的變換，在(zai)計(ji)算(suan)機控制下進行兩次電(dian)(dian)測(ce)(ce)量(liang)，能(neng)自動消除樣品幾何尺寸、邊界(jie)效應(ying)以及探(tan)(tan)(tan)針(zhen)不等距和機械游移等因素(su)對(dui)測(ce)(ce)量(liang)結果的影響。

RTS-9型雙(shuang)電(dian)(dian)測(ce)(ce)四探(tan)針(zhen)測(ce)(ce)試(shi)儀采用(yong)了四探(tan)針(zhen)雙(shuang)電(dian)(dian)測(ce)(ce)組(zu)合(亦稱雙(shuang)位組(zu)合)測(ce)(ce)量新技術,將范德堡測(ce)(ce)量方法(fa)推廣(guang)應用(yong)到直線(xian)四探(tan)針(zhen)上,利用(yong)電(dian)(dian)流探(tan)針(zhen)、電(dian)(dian)壓探(tan)針(zhen)的變換，在(zai)計算(suan)機控制下進行兩次電(dian)(dian)測(ce)(ce)量，能(neng)自動(dong)消除樣品幾何尺寸(cun)、邊界效應以及探(tan)針(zhen)不等(deng)距和機械游移等(deng)因素對測(ce)(ce)量結果(guo)的影響(xiang)。

RTS-3型(xing)手(shou)持式四探針測(ce)試儀是(shi)運用四探針測(ce)量原(yuan)理的(de)多用途綜合測(ce)量設備。該儀器按照單(dan)晶硅物理測(ce)試方(fang)法(fa)國(guo)家標準(zhun)并(bing)參考美國(guo) A.S.T.M 標準(zhun)而設計的(de)，于測(ce)量硅晶塊、晶片電阻率及(ji)擴(kuo)散層、外延層、ITO導電箔膜(mo)、導電橡(xiang)膠(jiao)等材料方(fang)塊電阻的(de)小型(xing)儀器。

RTS-2/RTS-2A型(xing)便攜式四探(tan)針(zhen)測試儀(yi)是運用(yong)四探(tan)針(zhen)測量原理(li)的(de)多用(yong)途綜合測量設備。該儀(yi)器(qi)按(an)照單晶(jing)硅(gui)物理(li)測試方法國家標(biao)準并參考(kao)美國 A.S.T.M 標(biao)準而設計(ji)的(de)，于測量硅(gui)晶(jing)塊、晶(jing)片電(dian)(dian)阻(zu)(zu)率及擴散層(ceng)(ceng)、外延層(ceng)(ceng)、ITO導電(dian)(dian)箔膜、導電(dian)(dian)橡膠等材料方塊電(dian)(dian)阻(zu)(zu)的(de)小型(xing)儀(yi)器(qi)。

SDY-4型四探(tan)針(zhen)測(ce)試(shi)儀是根據單晶硅物(wu)理測(ce)試(shi)方(fang)法國(guo)(guo)家標準并(bing)參考(kao)美國(guo)(guo)A.S.T.M標準設計的半導體材(cai)料電阻率及(ji)方(fang)塊電阻(薄層電阻)測(ce)試(shi)儀器.

可連(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦使(shi)(shi)用也可以不連(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦使(shi)(shi)用，連(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦使(shi)(shi)用帶(dai)自動測量功能，自動選擇(ze)適合樣品測試電(dian)(dian)流量程(cheng)； 高速并口通訊接(jie)(jie)口，連(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦使(shi)(shi)用時采集(ji)數(shu)據(ju)到電(dian)(dian)腦的時間只需要1.5秒；

恒流(liu)(liu)源電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)量(liang)程(cheng)分為(wei)1µA、10µA、100µA、1mA、10mA、100mA六檔；可連(lian)接(jie)電(dian)(dian)(dian)腦(nao)使(shi)用(yong)也可以不連(lian)接(jie)電(dian)(dian)(dian)腦(nao)使(shi)用(yong)，連(lian)接(jie)電(dian)(dian)(dian)腦(nao)使(shi)用(yong)帶自(zi)(zi)動(dong)測量(liang)功能，自(zi)(zi)動(dong)選擇適合(he)樣品測試電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)量(liang)程(cheng)；高速并口通(tong)訊接(jie)口，連(lian)接(jie)電(dian)(dian)(dian)腦(nao)使(shi)用(yong)時(shi)采集(ji)數據(ju)到電(dian)(dian)(dian)腦(nao)的時(shi)間只需要1.5秒（在0.1mA、1mA、10mA、100mA量(liang)程(cheng)檔時(shi)）；

TH2512/TH2512A/TH2512B直流低電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)測(ce)(ce)試儀(yi)是智能(neng)化、寬范圍、精密的直流電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)測(ce)(ce)試儀(yi)器，適用(yong)于變壓器及電(dian)(dian)(dian)感(gan)線(xian)圈銅(tong)阻(zu)(zu)(zu)、繼電(dian)(dian)(dian)器接觸(chu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)、開關、接插件接觸(chu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)、導線(xian)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)、元件焊點接觸(chu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)、印制板線(xian)條及焊孔(kong)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)、金(jin)屬探傷等。應用(yong)于生(sheng)產線(xian)，可使(shi)用(yong)HANDLER接口(kou)及GPIB接口(kou)（選件）輸出良品(pin)/不良品(pin)信號，以提(ti)高(gao)生(sheng)產線(xian)自動化測(ce)(ce)試能(neng)力。