SDY-4型四探針測試儀

SDY-4型四(si)探(tan)針測試(shi)儀是(shi)根據單晶硅(gui)物理(li)測試(shi)方(fang)法(fa)國家標準(zhun)(zhun)并參考美國A.S.T.M標準(zhun)(zhun)設計的半(ban)導(dao)體材料電阻率及方(fang)塊電阻(薄層電阻)測試(shi)儀器.
    儀(yi)器以(yi)大規模(mo)集成電路為(wei)核心部件,采用平面輕觸式開關控制,及各(ge)種工(gong)作狀態LED指示.應用微計算(suan)機技術，利(li)用HQ-710E型測量(liang)(liang)數(shu)據(ju)(ju)處理器，使得測量(liang)(liang)讀數(shu)更(geng)加(jia)直觀、快(kuai)速，并能實現晶片(pian)厚度(du)(du)自行修正(zheng)，打印出全部預(yu)置和測量(liang)(liang)、計算(suan)數(shu)據(ju)(ju)。整套儀(yi)器體積小、功耗低、測量(liang)(liang)精(jing)度(du)(du)高(gao)、測試速度(du)(du)快(kuai)、穩定性好、易(yi)操作。
    SDY4四探針測試儀 本儀器可滿足半導體材料、器件的研究生產單位對材料(棒材、片材)電阻率及擴散層、離子注入層、異型外延層和導電薄膜方塊電阻測量的需要。

技術指標
1 測量范圍: 電阻率:0.001-200Ω.cm(可擴展);
　　　　　　方塊電阻:0.01-2000Ω/口(可擴展);
2 可測晶片直徑(zui大):100mm(配J-2B型手動測試臺)
　　　　　　　　　　  200mm(配J-51型手動測試臺)
3 恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續可調.誤差<±0.3%
4 數字電壓表:
量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV
顯示:四位半紅色發光管數字顯示;極性、小數點、超量程自動顯示。
輸入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.
5 zui大電阻測量誤差(按JJG508-87進行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6 四探針探頭:
間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機械游移率:≤0.3%
探針壓力:TZT-9A/9B: 12-16牛頓(總力) TZT-9C/9D 5-8 牛頓(總力)
7 整機不確定度:(用硅標樣片測試)≤5% (0.01-180Ω.cm)
8 外形尺寸:電氣主機:360mm×320mm×100mm；數據處理器：300mm×210mm×105mm
9 數據處理器功能:
A 鍵盤控制測量取數,自動進行電流換向,并進行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測量,顯示出平均值.測薄片時,可自動進行厚度修正;
B 鍵盤控制數據處理,運算電阻率平均值和電阻率值zui大百分變化及平均百分變化;
C 鍵盤控制打印全部測量數據.測量條件、zui大電阻率值、zui小電阻率值、電阻率zui大百分變化及平均百分變化。
10 儀器重量：電氣主機：約4kg；測試臺：約10kg，數據處理器：約2.5kg
11 測試環境：溫度23±2℃；相對濕度≤65％；無高頻干擾；無強光照射。 

配(pei)置

四(si)探針測試(shi)儀主機、J-2B測試(shi)架、TZT-9D四(si)探針探頭

14000/套配(pei)置

四探(tan)(tan)針(zhen)測試(shi)儀主機、J-2B測試(shi)架、TZT-9D四探(tan)(tan)針(zhen)探(tan)(tan)頭、710E型微處理(li)器

19600/套(tao)