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RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用(yong)四探針測(ce)(ce)量(liang)原理的(de)(de)多用(yong)途(tu)綜合測(ce)(ce)量(liang)設(she)備。該(gai)儀(yi)器(qi)按照單晶硅物理測(ce)(ce)試方法國家標(biao)準(zhun)并參(can)考美國 A.S.T.M 標(biao)準(zhun)而設(she)計的(de)(de)，于測(ce)(ce)量(liang)硅晶塊(kuai)、晶片(pian)電(dian)阻率及(ji)擴散層、外延層、ITO導電(dian)箔膜、導電(dian)橡膠等材料方塊(kuai)電(dian)阻的(de)(de)小型儀(yi)器(qi)。
儀器采用(yong)了電(dian)子(zi)技術進(jin)行設計、裝配(pei)。具(ju)有功能選擇直觀、測量取數快(kuai)、精度高、測量范圍(wei)寬、穩定(ding)性好、結構緊(jin)湊、易(yi)操作等(deng)特(te)點。如有需要可加配(pei)測試臺使用(yong)。
本儀(yi)器廣泛應用于太陽能單(dan)晶(jing)(jing)（多晶(jing)(jing)）生產廠(chang)家為硅(gui)材料(liao)的分選(xuan)測試，半導體材料(liao)廠(chang)、半導體器件廠(chang)、科研(yan)單(dan)位、高等院校對半導體材料(liao)的電阻(zu)性能測試。
便攜式四探針測試儀按測量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型，區別：測量范圍不一樣。
技術參數：
RTS-2測量范圍 | 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm； 方塊電阻：0.1～19999Ω/□； |
RTS-2A測量范圍(wei) | 電阻率：0.001～199.99Ω.cm； 方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□； |
RTS-2恒流(liu)源(yuan) | 電流(liu)量程分為100μA、1mA兩檔(dang)(dang)，各檔(dang)(dang)電流(liu)連續可調(diao) |
RTS-2A恒流源 | 電流(liu)量(liang)程分為1mA、10mA兩檔(dang)，各檔(dang)電流(liu)連(lian)續可調 |
數字電(dian)壓(ya)表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、超量程自動顯示； |
四探(tan)針探(tan)頭(tou)基本指(zhi)標 | 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
四探針探頭(tou)應用參數(shu) | (見探(tan)頭附帶的(de)合格證) |
模擬電阻測量相對誤差 | 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
整機測量(liang)zui大相對誤(wu)差 | (用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試(shi))≤±5% |
整機測量(liang)標準不確定度 | ≤5% |
外型尺寸 | 125mm(寬(kuan))*145mm(高)*245mm(深) |
標準使(shi)用環境 | 溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強光直射； |
| 配置 | 四(si)探針測試(shi)儀主機、FT-202型四(si)探針探頭 | 4500/套 | ||||||
| 配置 | 四(si)探針(zhen)測(ce)(ce)試儀主機、FT-202型四(si)探針(zhen)探頭、S-2B型測(ce)(ce)試臺 | 5800/套 | ||||||
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